双向可控硅

摘要： 本文设计了一种稳定可靠的新生儿暖箱温度控制电路。硬件电路不采用传统的继电器作为开关器件,取之的是双向可控硅。整个电路包括温度采集电路、主控电路、温度显示与设定电路、加热器开关控制电路。实现上,基于AVR单片机的主控电路接收温度采集电路采集的温度值,并与温度设定电路设定的温度值进行比较,进而控制基于双向可控硅的加热器开关控制电路,实现加热器的通断,并把温度值通过SPI总线发送至温度显示电路。整个电路经过测试,可以实现对暖箱温度控制,并且可靠性好。结论设计的控制电路发挥了双向可控硅适合做交流无触点开关这一优势,可稳定用于新生儿暖箱的温度控制,整个电路也具有控制准确、所占体积小、可靠性好的优点。

摘要： 本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1MHz的频率下,LVDDSCR_GR的寄生电容由LVDDSCR的1135fF增加到1463fF,HVDDSCR_GR的寄生电容由HVDDSCR的810fF增加到1740fF,其根本原因是由于保护环引入了N型隔离环与P型外延层之间的寄生电容。

摘要： 双向可控硅触发电路可采用正电压拓扑结构和负电压拓扑结构,因为电路功耗、灵敏度、可靠性等原因,应优先采用负电压拓扑结构,但应用时有时只能处于正电压拓扑结构,因此需要将正电压拓扑结构进行变换.本触发电路采用的负电荷泵利用电容两端电压差不会跳变的特性,当电路保持充放电状态时,电容两端电压差保持恒定.在这种情况下将原来的高电位端接地,可得到负电压输出.在正电压拓扑结构中,利用电荷泵使得双向可控硅触发脉冲由正电压变为负电压,使得其触发电流为负,避免工作在第四象限,从而获得更好的器件稳定性和可靠性.

摘要： 双向可控硅是一种大功率电器元件,也称为晶闸管,具有体积小、效率高和寿命长的优点,其不足是易受干扰、工作时存在dV/dt、dI/dt,容易产生干扰,且影响dV/dt、dI/dt值的因数多,即电磁干扰一致性难以保证,本文旨在通过对其关键参数分析,输出可控硅控制家电产品中阻性加热负载时的可靠应用和电磁干扰设计的要点.

摘要： 3Q TRIAC作为一种特殊的双向可控硅,近年来在家电市场中的应用日益广泛,在许多家电中均替代了传统的双向可控硅(4Q).由于其优秀的dv/dt能力,线路上的通用性远高于常规4Q可控硅,特别是用在感性负载和容性负载上,具有不可替代的优势.本文对3Q TRIAC的导通机理、设计思路等多方面进行了分析并验证,提供了一种理想的3Q TRIAC解决方案.

摘要： 无绳电水壶由于外形美观而且使用较为方便走入了人们的日常生活,但无绳电水壶的电路中有多处触点及附属机械结构,在使用过程中的故障率很高.分析了各种常见故障的产生原因,并设计了一种利用光电耦合器控制双向可控硅进而控制电路通断的电水壶电路,从而降低电水壶的故障率.

摘要： 直流输电系统单极大地回线方式或双极不平衡运行时电网内中性点直接接地运行的变压器产生直流偏磁,影响变压器及系统稳定运行.针对以往中性点隔直技术的不足,研究了采用双向可控硅配合快速旁路开关保护电容的电容隔直装置及其控制投退策略,通过220kV德隆站应用实例分析,验证该装置的实用有效性.

摘要： 传统三端双向可控硅(TRIAC)调光器适合于用来调节白炽灯和卤素灯这类电阻性负载,当用其对发光二极管(LED)调光时会产生闪烁,更不能实现宽范围的调光控制。本文分析了双向可控硅(TRIAC）调光器的基本原理和用于LED调光时存在的问题，并对目前已有的一些TRIAC LED调光方案及各自性能做了比较分析与实验研究。

摘要： 本文论述了芯片静电防护的瓶颈，探讨了双向可控硅静电防护器件的结构，以及应用，如不同电源线之间采用二极管连接、双向可控硅代替二极管、地线和静电总线之间的应用以及接口电路中防反驱动应用等，并展望了未来的发展趋势。

摘要： 本文针对双向可控硅在不同触发象限条件下的触发特性进行了实验研究，考察了可控硅在上述条件下的不同触发特性，明确了各种象限触发之间的特性差异，并重点通过对上述各种触发情况进行pspice建模，解释了实验中所观察到的可控硅在不同象限情况下存在触发特性差异的原因。为后续的不同象限触发对于可控硅的使用可靠性和寿命影响的研究提供了理论和试验依据。

摘要： 针对接触器和电力器件在投切电容器无功补偿装置应用中存在的问题，利用双向可控硅与磁保持继电器各自的优点，开发、研制了一种基于PIC单片机的智能型无功补偿复合开关。并对其组成原理、部分电路的结构、时序和性能等进行了详细描述。

摘要： 风能作为一种不稳定的能源,如果没有储能装置或与其它发电装置互补运行,其本身难以提供稳定的电能。风力发电机组多为异步发电机组,在并网过程中会产生较大的冲击电流,对发电系统产生影响,关键是对并网加以控制。本文通过分析并网冲击电流产生的原因,提出了一种目前采用的较为先进的并网方法-双向可控硅软投入法,使并网冲击电流明显减少,得到较为平滑的并网过程。本文基于MATLAB/Simulink的电力系统仿真软件PSB(Power System Blockset),对异步发电机直接并网以及采用双向可控硅控制的并网过程进行仿真,并取得了预期的效果。

摘要： 风能作为一种不稳定的能源,如果没有储能装置或与其它发电装置互补运行,其本身难以提供稳定的电能.风力发电机组多为异步发电机组,在并网过程中会产生较大的冲击电流,对发电系统产生影响,关键是对并网加以控制.本文通过分析并网冲击电流产生的原因,提出了一种目前采用的较为先进的并网方法-双向可控硅软投入法,使并网冲击电流明显减少,得到较为平滑的并网过程.本文基于MATLAB/Simulink的电力系统仿真软件PSB(Power System Blockset),对异步发电机直接并网以及采用双向可控硅控制的并网过程进行仿真,并取得了预期的效果.

摘要： 为解决市场上风机型电暖气大范围调功调速问题,本文利用性价比高的Atmel89C2051单片机产生两路可变的PWM信号,控制双向可控硅的导通角,从而实现对电机转速的控制,实现调功调速的目的.实验结果表明,该电路设计新颖、实现方便,成本低廉,有广阔的市场前景.

摘要： 夫兰克-赫兹实验因其设计思想的巧妙及其在原子物理学的发展史上所起的重要作用，使其倍受高校的欢迎，成为理工科学生普遍开设的一个典型的近代物理实验。介绍一种采用双向可控硅自动控温系统改进夫兰克─赫兹实验控温装置的原理和方法。

摘要： @@2007年底攀钢冶金工程技术有限公司根据市场变化，新上一条年热处理1万t履带板热处理生产线。介绍履带板热处理炉控制柜的组成、原理。

摘要： @@2007年底攀钢冶金工程技术有限公司根据市场变化，新上一条年热处理1万t履带板热处理生产线。介绍履带板热处理炉控制柜的组成、原理。

摘要： 此处的双向可控的可控硅的优点是改善了在两个可控硅结构间的去耦合，特别是不可能由于载流子的不需要的迁移而不受控制地触发串联结构。这通过下面的方法实现：增加阴极区域向着隔离区域减小的度。特别是可以通过下面方法实现：短路区域的每面积单位的密度向着隔离区域趋向一个最大值。使用一个线形的、沿着隔离区域延伸的贯穿的短路区域特别有效。

摘要： 本发明涉及电源技术领域，特别是一种可控硅电源的驱动控制方法及可控硅电源。本发明通过对电网电压、输出电流的采集，进行基波相位分析，得出电源带不同负载时瞬态的相位差角，并通过对相位差角度的限制，限制控制器的驱动相位。本发明通过上述的处理过程，实时检测电压电流相位进行限制，在带感性负载中，负载突变都能及时有效的检测与限制，限制速度仅滞后最大一个电网采样周期。感性负载如变压器负载，空载的情况下都无需加假负载，节省了电源空间，增加电源效率，也降低硬件成本。电源不会因负载突变，角度失控导致过流而关闭设备，增强了系统工艺稳定性。

摘要： 此处的双向可控的可控硅的优点是改善了在两个可控硅结构间的去耦合,特别是不可能由于载流子的不需要的迁移而不受控制地触发串联结构。这通过下面的方法实现:增加阴极区域向着隔离区域减小的度。特别这可以通过下面方法实现:短路区域的每面积单位的密度向着隔离区域趋向一个最大值。使用一个线形的、沿着隔离区域延伸的贯穿的短路区域特别有效。

摘要： 本申请属于灯具技术领域，提供了一种可控硅调光调色方法、可控硅调光调色装置以及灯具，首先获取可控硅输出的斩波信号，并将斩波信号转换为对应的脉宽调制信号，然后检测所述脉宽调制信号的占空比，并在脉宽调制信号的占空比发生变动时，判断脉宽调制信号的占空比是否在预设的颜色切换阈值时间内达到预设颜色切换占空比，若是，则切换光源模组的颜色，并驱动光源模组以切换后的颜色点亮；若否，则按照变动后的脉宽调制信号的占空比调节所述光源模组的发光参数，从而通过可控硅的调节就可以实现多种颜色切换控制，解决无法通过可控硅实现多种灯光颜色的切换控制的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种可控硅方式电磁吸盘双向可控续流电路，包括正向励磁供电电源、反向消磁供电电源和电磁线圈，所述正向励磁供电电源的正极连接电磁线圈和反向消磁供电电源的负极，反向消磁供电电源的正极连接电磁线圈的另一端和正向励磁供电电源的负极，还包括单向可控硅SCR1、单向可控硅SCR2和电阻R3。本实用新型能够整体降低成本和功耗，降低了电磁吸盘的消磁时间，提高了元器件的使用寿命。

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及调节双向可控硅触发电流的工艺方法，包括：硅片双面抛光、氧化、穿通光刻、穿通扩散、镓扩散、硼扩散、阴极光刻、阴极扩散、台面槽光刻、台面腐蚀、台面钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背面金属化，其特征在于，所述硼扩散于硅片背面的p型扩散区P1层和正面的p型扩散区P2层的扩散浓度不一致。可以改善双向可控硅四个象限的触发电流，双向可控硅四个象限触发电流的一致性强，可以有效的提高器件的换向能力，降低器件对线路的电磁干扰。

摘要： 一种双向可控硅的制作方法，包括如下步骤，选取N型单晶硅材料片，在所述N型单晶硅材料片上生长一层2.0um以上氧化层，用双面光刻机刻出正、反面隔离图形，并用化学腐蚀液去除不需要的氧化层腐蚀出隔离区域，在所述隔离区域上沉积P型杂质源，然后进行高温扩散，形成第六P型层，在晶圆正面用光刻、注入方法，形成P型分压环，注入条件为基区注入剂量的1％，区别于现有技术，上述技术方案通过改变P2结深和P4结深能够使得产品有更好的dv/dt表现，同时还由于增加了n5的有效重叠面积，能够使得电子注入能力增加，降低IGT4电流，使得本产品的通电表现更为稳定。

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及调节双向可控硅触发电流的工艺方法，包括：硅片双面抛光、氧化、穿通光刻、穿通扩散、镓扩散、硼扩散、阴极光刻、阴极扩散、台面槽光刻、台面腐蚀、台面钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背面金属化，其特征在于，所述硼扩散于硅片背面的p型扩散区P1层和正面的p型扩散区P2层的扩散浓度不一致。可以改善双向可控硅四个象限的触发电流，双向可控硅四个象限触发电流的一致性强，可以有效的提高器件的换向能力，降低器件对线路的电磁干扰。

摘要： 本申请实施例提供一种双向可控硅开关电路、双向可控硅控制电路以及电子设备，双向可控硅开关电路，包括：双向可控硅、光耦、充放电电路和第一电容；充放电电路的正极与双向可控硅的第一主端子和交流电源的火线连接；充放电电路的负极经由光耦的两个输出端与双向可控硅的门极连接，且充放电电路的负极经由第一电容与交流电源的零线连接；双向可控硅的第一主端子连接交流电源的火线，双向可控硅的第二主端子经由负载连接交流电源的零线；光耦的两个输入端为双向可控硅开关电路的触发端，且光耦的两个输入端连接于开关控制回路。本申请实施例无需采用高成本的高压双向光控晶闸管隔离驱动芯片，可节省成本。

摘要： 可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅，它涉及一种可控硅串联补偿器用双向可控硅，具体涉及一种可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅。本实用新型包括连接板、插板、防盗锁、锁销和两个锁片，连接板为长方形板体，双向可控硅主体的上表面与连接板下表面的中部固定连接，连接板一端端面设有插槽，连接板的每一端分别各设有一个沉孔，插板插装在插槽内，连接板一端端面由上至下依次设有两个锁片，锁销右下至上依次穿过两个锁片，防盗锁与锁销的上端连接。本实用新型用于可控硅串联补偿器上。