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多集成电路缓存的图像传感器、成像方法以及多集成电路成像设备

摘要

一种多IC缓存的图像传感器具有第一IC,该第一IC具有像素、选择晶体管和将选择的像素与第一裸片间接合焊盘相耦接的互连,该第一裸片间接合焊盘将图像数据传送到具有逻辑和ADC的第二IC。ADC具有耦接到所选择的像素的输入,以及将硅通孔和裸片间接合焊盘输出到第三IC,第三IC被耦接以缓存DRAM中的原始图像数据。一种方法包括:使用被划分为子阵列的阵列像素IC来捕获图像,每个所述子阵列经由裸片间接合耦接到分离的、相关联的ADC;扫描子阵列并将图像数据转换为数字图像数据;以及经由裸片间接合将数字图像数据传送到DRAM中的缓存器中。

著录项

  • 公开/公告号CN110913155B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 豪威科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201910877287.9

  • 申请日2019-09-17

  • 分类号H04N5/378(20110101);H04N9/04(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人宋融冰

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 12:33:02

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