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改进低介电常数层的粘附强度的方法

摘要

提供了一种用于制造半导体器件的方法。在一个特定实施例中,所述方法包括给半导体衬底提供表面区域。所述表面区域包括覆盖所述半导体衬底的一个或多个层。另外,所述方法包括形成覆盖所述表面区域的电介质层以及形成覆盖所述电介质层的扩散阻挡层。此外,所述方法包括使所述扩散阻挡层经受等离子体环境以促进在界面区域的所述扩散阻挡层和所述电介质层之间的粘附。所述方法还包括处理所述半导体衬底,同时保持在所述界面区域的所述电介质层和所述扩散阻挡层之间的附着。使所述扩散阻挡层经受等离子体环境包括保持所述阻挡扩散层的厚度。

著录项

  • 公开/公告号CN100459064C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200510111389.8

  • 发明设计人 汪钉崇;

    申请日2005-12-12

  • 分类号H01L21/3105(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐谦;杨红梅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-21

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/3105 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-02-04

    授权

    授权

  • 2007-08-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-06-20

    公开

    公开

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