一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法及结构

摘要

本发明涉及一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层，在所述的缓冲层上生长p型GaN层，在生长所述的p型GaN层时，掺入活化剂，所述的活化剂为In和/或Al，所述的活化剂的摩尔流量为10~300umol/min。一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构，其由所述的制备方法制得。本发明在生长p型GaN时引入活化剂，使得在提升p型GaN掺杂浓度的同时又能保证p型GaN的质量不受影响，可以获得掺杂浓度至少为2e¹⁸/cm^‑3的p型GaN结构。