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机译:用于p型(Al)GaN外延结构的受体激活的生长和热退火:技术挑战和风险
Inst Elect Mat Technol, Lukasiewicz Res Network, Wolczynska 133, PL-01919 Warsaw, Poland;
Inst Elect Mat Technol, Lukasiewicz Res Network, Wolczynska 133, PL-01919 Warsaw, Poland|Warsaw Univ Technol, Fac Phys, Koszykowa 75, PL-00662 Warsaw, Poland;
Inst Elect Mat Technol, Lukasiewicz Res Network, Wolczynska 133, PL-01919 Warsaw, Poland;
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Inst Elect Mat Technol, Lukasiewicz Res Network, Wolczynska 133, PL-01919 Warsaw, Poland;
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Inst Elect Mat Technol, Lukasiewicz Res Network, Wolczynska 133, PL-01919 Warsaw, Poland;
III-nitride; AlGaN; Doping; Epitaxy; Annealing;
机译:P型(AL)GAN外延结构的受体激活的生长和热退火:技术挑战和风险
机译:GaN:?Mg外延层中受主杂质热活化的研究
机译:具有SiC缓冲层的n和p型Si(100)衬底对半极性AlN和GaN外延层的生长机理和结构的影响
机译:Mg受体活化和GaN结构质量的热退火工艺研究
机译:外延纳米结构的形状和稳定性在生长或退火下演化。
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:GaN:mg外延层中受主杂质热活化的研究
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管