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石瑛; 蒋昌忠; 付强; 范湘军;
武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;
GaN; 离子注入; 注入剂量; 铁磁性;
机译:注入温度对Mn +注入p-GaN薄膜磁性和结构的影响
机译:热退火对Mn离子注入AlInN / GaN薄膜结构和磁性的影响
机译:不同注入和退火条件下Sm离子注入GaN薄膜的性能研究
机译:P型GE和GESN上的SUB-10〜(-9)ω-cm〜2特异性接触电阻率:原位GA掺杂在300°C,25°C和-100°C下的GA离子注入
机译:离子通量(剂量率)在10 nm节点FinFET上的源漏扩展离子注入中的作用以及在300 / 450mm平台上的影响
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:注入Er的GaN薄膜的结构和磁性
机译:高剂量氧注入硅的微观结构及其对注入条件的依赖性
机译:造纸机等的进料口在湍流管处具有一个或多个流体注入器,以注入受控的流体剂量,而对总悬浮液体积流量的影响最小
机译:<100> P型硅中的氧化物钝化二极管的低剂量磷离子注入方法
机译:图像剂量计算装置,造影剂注入装置和注入的造影剂注入装置
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