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氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统

摘要

一种氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统,能够实现对氢离子注入剂量变化的检测,从而提高薄膜转移的质量,提高半导体器件的制备良率。其中,所述氢离子注入剂量检测方法包括以下步骤:提供一衬底,所述衬底内注入有氢离子,形成有氢离子注入层;检测所述氢离子注入层的厚度变化,并在所述氢离子注入层的厚度发生的变化超过预设值时判定所述氢离子的注入剂量发生变化。

著录项

  • 公开/公告号CN111668128A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海新傲科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202010384551.8

  • 发明设计人 周平华;李飞;

    申请日2020-05-08

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人孙佳胤

  • 地址 201821 上海市嘉定区普惠路200号

  • 入库时间 2023-06-19 08:16:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-09

    授权

    发明专利权授予

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