封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
第一章 绪 论
1.1引言
1.2 SOI材料与Smart-cut技术及应用
1.3气体离子注入硅基材料的研究进展
1.4两层损伤现象与{311}缺陷研究进展
1.5本论文的主要内容
第二章 实验过程与基本原理
2.1离子注入基本物理过程简介
2.2样品的离子注入与退火
2.3测试手段及基本原理简介
第三章 氮氢离子联合注入单晶硅的表面损伤与分析
3.1 OM观测结果
3.2 AFM观测结果
3.3 TEM 观测结果与分析
3.4 PAS结果与分析
3.5 RSS结果与分析
3.6 N和H联合注入Si表面损伤机制分析
3.7本章结论
第四章 氮和氢离子注入硅的双层损伤现象与成因分析
4.1双层损伤TEM观测结果
4.2双层损伤的成因讨论
4.3本章结论
第五章 结论与展望
参考文献
发表论文和参加科研情况说明
致谢