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第一章绪论
1.1 He和/或H离子注入单晶Si研究进展
1.1.1 H离子注入单晶Si材料研究进展
1.1.2 He离子注入单晶Si材料研究进展
1.1.3 He和H离子联合注入单晶Si材料研究进展
1.2 SOI结构和Smart-cut技术及其应用
1.2.1 SOI结构在微电子技术中的应用
1.2.2 SOI器件的主要制作方法
1.2.3 Smart-cut技术的发展和应用
1.3绝缘层在集成电路材料中研究进展
1.3.1二氧化硅薄膜(SiO2)
1.3.2三氧化二铝薄膜(Al2O3)
1.3.3氮化硅薄膜(Si3N4)
1.4 Si基纳米晶发光的研究简介
1.4.1 Si基纳米晶的制备方法
1.4.2 Si基纳米晶的结构简介
1.4.3 Si基纳米晶的发光性质
1.5本论文的选题意义和主要工作
第二章实验过程及样品制备
2.1 Si单晶以及表面绝缘层的制备
2.2样品的离子注入及退火过程
2.2.1离子注入理论
2.2.2离子注入机
2.2.3 TRIM或SRIM程序简介
2.2.4本实验离子注入条件
2.2.5退火过程
2.3测试手段及其基本原理简述
2.3.1光学显微镜(OM)
2.3.2扫描电子显微镜(SEM)
2.3.3原子力显微镜(AFM)
2.3.4透射电子显微镜(TEM)
2.3.5荧光光谱仪(PL)
第三章He和H离子注入Si3N4/Si损伤结果和分析
3.1扫描电子显微镜的测试结果及分析
3.2光学显微镜观测结果及分析
3.3原子力显微镜测试结果及分析
3.4透射电子显微镜的结果及讨论
3.5结果讨论及可能的应用前景展望
3.5.1 He和H离子联合注入单晶Si表面剥离的机制探
3.5.2 He和H离子注入Si3N4/Si两层剥离机理的讨论
3.5.3 Si3N4/Si两层剥离现象可能的应用讨论
3.6本章小结
第四章He和H离子注入SiO2i损伤结果和分析
4.1扫描电子显微镜测试结果和分析
4.2光学显微镜观测结果和分析
4.3原子力显微镜测试结果和分析
4.4透射电子显微镜的结果和讨论
4.5结果讨论及表面发泡机制探讨。
4.6本章小节
第五章He和H离子注入SiO2i发光研究结果及分析
5.1光致发光谱的结果及分析
5.2高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的观测结果和分析
5.3原子力显微镜的观测结果和分析
5.4结果讨论及发光的可能机制探讨
5.5本章小节
第六章结论与展望
参考文献
发表论文和科研情况说明
致谢