机译:氢和氦注入及随后的退火在硅中引入的辐射缺陷和热供体
机译:透射电子显微镜和高分辨率电子显微镜研究在600℃下氦离子注入的Si单晶中引起的结构缺陷
机译:X射线微衍射探测钨注入引起的晶格应变和钨中的缺陷
机译:氢气植入对氦植入诱导缺陷的影响
机译:6氢碳化硅和4氢碳化硅中本征和离子注入引起的缺陷的电学和光学表征。
机译:使用氦离子显微镜审查缺陷工程离子植入和纳米制剂
机译:通过氢和氦注入以及随后的退火在硅中引入辐射缺陷和热供体
机译:si的植入处理:了解离子诱导缺陷及其影响的统一方法