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公开/公告号CN109755306B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910023720.2
发明设计人 谢倩;李杰;黄安鹏;王政;
申请日2019-01-10
分类号H01L29/739(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人甘茂
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 12:05:10
机译: 双极结型晶体管,其隧穿电流通过场效应晶体管的栅极作为基极电流
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 绝缘栅双极晶体管器件,包括一个串联的绝缘栅场效应晶体管,该晶体管串联一个具有经修正的漏极接触的结型场效应晶体管
机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
机译:用于模拟应用的应变全栅无结隧穿纳米线场效应晶体管的表示
机译:SiGe异质结双栅隧穿场效应晶体管的小信号等效电路的微波分析
机译:浮栅无结双栅场效应晶体管中的单事件瞬变效应研究
机译:通过聚焦离子束无掩模制造结型场效应晶体管。
机译:基于双栅隧穿晶体管的无电容DRAM垫片工程优化
机译:三材料双栅无结场效应晶体管的二维表面势模型
机译:互补Gaas结栅控异质结构场效应晶体管技术