机译:SiGe异质结双栅隧穿场效应晶体管的小信号等效电路的微波分析
Gachon Univ, Dept Elect Engn, Gyeonggi Do 13120, South Korea;
Kyungpook Natl Univ, Sch Elect Engn, Daegu, South Korea;
Gachon Univ, Dept Elect Engn, Gyeonggi Do 13120, South Korea;
device simulation; Si-0; 5Ge(0); 5; small-signal equivalent circuit; source junction; tunneling field-effect transistor;
机译:SiGe异质结双栅极隧穿场效应晶体管通过其小信号等效电路微波分析
机译:用小信号等效电路用锗源结的隧道场效应晶体管分析
机译:Si / SiGe异质结双极晶体管的p拓扑小信号等效电路模型的直接提取技术
机译:通过小信号等效电路分析微波状态下的SiGe异质结隧穿场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:用于低功耗应用的极短通道分级Si / SiGe异质结隧道场效应晶体管的设计优化
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。