...
机译:用小信号等效电路用锗源结的隧道场效应晶体管分析
Gachon Univ Dept Elect Engn Seongnam South Korea;
Kyungpook Natl Univ Sch Elect Engn Daegu South Korea;
Gachon Univ Dept Elect Engn Seongnam South Korea;
device simulation; germanium; high-frequency parameters; small-signal equivalent circuit; source junction; tunneling field-effect transistor;
机译:用小信号等效电路用锗源结的隧道场效应晶体管分析
机译:SiGe异质结双栅极隧穿场效应晶体管通过其小信号等效电路微波分析
机译:隧道场效应晶体管的源工程:具有垂直硅锗/锗异质结构的高架源
机译:通过小信号等效电路分析微波状态下的SiGe异质结隧穿场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:一种适用于低功率应用的新型锗环绕源栅极全能隧穿场效应晶体管
机译:si上制备的弛锗 - 锡p沟道隧道场效应晶体管:sn成分和单轴拉伸应变的影响
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。