包含沟道高级寄生元件的场效应晶体管小信号等效电路模型

摘要

本发明公开了一种场效应晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，所述场效应晶体管小信号等效电路模型的本征部分包含沟道高级寄生元件，所述沟道高级寄生元件包括本征电阻、本征电容、本征电感这三种元件中的任意一种或者组合，从而实现在高频、大电流下，对晶体管的高精度仿真，本发明进一步公开了包含沟道高级寄生元件的特征函数，以及利用测量的S参数提取所述沟道高级寄生元件参数值的方法。本发明提出的包含沟道高级寄生元件的场效应晶体管小信号等效电路模型可以提高仿真同测试结果的拟合精度。