检测集成电路的衬底经由其背面的可能减薄的方法、以及相关联的器件

摘要

半导体衬底包括掩埋半导体层和半导体阱。一种用于检测半导体衬底经由其背面的可能减薄的器件被形成在半导体阱上和半导体阱中。该器件是包括输入端子和输出端子的非反相缓冲器，该器件在供应端子与参考端子之间被供电，其中掩埋半导体层提供供应端子。控制电路向输入端子递送处于第一状态的输入信号，并且如果响应于输入信号处于与第一状态不同的第二状态，信号在输出端子处被生成，则输出指示检测到衬底的减薄的控制信号。