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牛俊凯; 张毅; 韩欣; 李国伟; 陈晓强;
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 郑州 450001;
衬底片; 背面; 减薄; 磨削; 加工; 试验;
机译:背面减薄过程中硅通孔晶圆表面应力的演变
机译:背面研磨引起的损伤对三维集成硅晶片减薄的影响
机译:湿化学硅晶圆减薄/背面暴露工艺的损伤评估
机译:晶圆背面减薄工艺与减薄后清洁和TSV曝光凹槽蚀刻相集成
机译:硅通孔(TSV)技术的背面减薄和处理。
机译:在c面蓝宝石衬底上通过CVD进行大面积单层MoS2纳米片的分散生长和激光诱导的波纹
机译:利用常压等离子体等离子体蚀刻背面减薄碳化硅晶片
机译:用于确定离子注入对铁膜与蓝宝石衬底粘附的影响的拉伸试验分析
机译:半导体晶片减薄方法,包括在凹槽的一组侧面上沉积保护层,将晶片粘贴在支撑件上,以及从晶片的背面开始直到到达凹槽组的底部来减薄晶片
机译:冲击试验分析装置,冲击试验分析系统,冲击试验分析方法和程序
机译:倒装片型半导体的背面膜,半导体片背面的切丁胶带集成膜,倒装片型半导体的背面膜的制造方法以及半导体装置
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