具有横向渐变功函数的晶体管栅极金属

摘要

本发明公开了包括具有功函数在整个栅极电极长度上单调渐变的栅极电极的晶体管的半导体器件、以及制造这种器件的方法。在实施例中，在栅极电极的源极和漏极边缘之间使栅极金属功函数渐变，以实现改进的高电压性能。在实施例中，栅极金属的厚度从源极边缘处的非零值渐变到漏极边缘处的较大厚度。在其他实施例中，具有渐变栅极金属厚度的高电压晶体管与采用标称厚度的栅极电极金属的另一个晶体管集成。在实施例中，制造半导体器件的方法包括通过使第一栅极金属在第一开口内相对于周围电介质非均匀地凹陷，在源极端部和漏极端部之间使栅极金属厚度渐变。