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公开/公告号CN111366832B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-16
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202010394919.9
发明设计人 曹子坤;赵德刚;梁锋;杨静;朱建军;刘宗顺;
申请日2020-05-11
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人孙蕾
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 11:39:22
机译: Pin结光伏器件,其具有多层I型半导体层,该多层I型半导体层具有通过微波等离子体CVD工艺形成的特定非单晶I型层
机译: 包括InAlN层和GaN层的叠层型氮化物半导体器件
机译: 制造氮化物型复合层,gan基质和垂直结构氮化物型半导体发光器件的方法
机译:等离子体辅助MBE在Si(111)上生长的n型GaN外延层中,施主活化能对载流子浓度的依赖性
机译:偏振增强GaN雪崩光电二极管,具有p型IN0.05GA0.95N层
机译:n型AlGaN层在分离和吸收(SAM)GaN / AlGaN雪崩光电二极管的光响应机制中的作用
机译:p-GaN层掺杂对增强型GaN器件开关性能的影响
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:提高载流子浓度调节层蓝色GaN基发光二极管的性能
机译:铍离子注入产生的Gaas中均匀载流子浓度p型层。