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用于浅沟槽隔离的水性二氧化硅浆料和胺羧酸组合物及其使用方法

摘要

本发明提供水性化学机械平坦化抛光(CMP抛光)组合物,例如用于半导体衬底,其包含一种或多种含有阳离子氮原子的细长、弯曲或结节状胶态二氧化硅颗粒分散体的研磨剂,和一种或多种具有低于5的等电点(pI)的胺羧酸,优选酸性胺羧酸或吡啶酸,其中所述组合物具有2到5的pH。所述组合物能够以高氧化物:氮化物去除速率比进行抛光。

著录项

  • 公开/公告号CN109575814B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201811011725.5

  • 发明设计人 N·K·彭塔;李姿丰;

    申请日2018-08-31

  • 分类号C09G1/02(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈哲锋;胡嘉倩

  • 地址 美国特拉华州

  • 入库时间 2022-08-23 11:31:57

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