公开/公告号CN109575814B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;
申请/专利号CN201811011725.5
申请日2018-08-31
分类号C09G1/02(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人陈哲锋;胡嘉倩
地址 美国特拉华州
入库时间 2022-08-23 11:31:57
机译: 用于浅沟槽隔离的水性低磨蚀性二氧化硅浆料和胺羧酸组合物及其制备和使用方法
机译: 用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末,其制备方法,包括该铈氧化物粉末的单组分CMP浆料组合物以及使用该浆料的浅沟槽隔离的方法
机译: 用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末,其制备方法,包括该铈氧化物粉末的单组分CMP浆料组合物以及使用该浆料的浅沟槽隔离的方法