一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）准备材料：准备干净的半导体衬底；（2）制备底层薄膜：将所述的半导体衬底放入沉积设备中，在沉积腔中通入反应气体SiH₄和NH₃并通过设置第一沉积条件，在所述半导体衬底上沉积底层氮化硅薄膜；（3）制备外层薄膜：设置第二沉积条件控制SiH₄反应气体的流量逐渐减小、NH₃反应气体的流量均匀变化，在所述底层氮化硅薄膜的外表面形成外层氮化硅薄膜，最终形成双层氮化硅薄膜结构。本发明的一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法消除了传统双层氮化硅薄膜生产工艺中底层和外层薄膜间的界面差异，提高了光的吸收，提升了钝化和减反射效果，提高太阳电池的效率。