一种浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构

摘要

本发明提供了一种浅沟槽结构的形成方法以及浅沟槽隔离结构，通过在浅沟槽内表面上形成的氧化层上面覆盖一层富硅氧化物层，而后再采用旋涂介电层(SOD)工艺在所述富硅氧化物层上形成聚硅氮烷(PSZ)层来对隔离沟槽进行填充。与现有技术相比，由于在所述氧化层上覆盖了一层富硅氧化物层，对所述PSZ层进行热处理时生成的氨气会提前与所述富硅氧化物层中的硅发生反应，进而避免了氨气进一步穿过氧化层侵害有源区，减弱了氨气对器件电学性能的影响。进一步地，所述富硅氧化物层中的硅与氨气以及水反应产生的二氧化硅以及氮化硅会使得所述PSZ层发生体积膨胀，一定程度上弥补了所述PSZ层收缩带来的负面影响。