浅沟槽隔离区形成方法、浅沟槽隔离区结构及膜层形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离区形成方法，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；确定隔离层参数；确定与所述参数对应的隔离层分布，所述隔离层包含至少一层压应力膜层和至少一层拉应力膜层，所述压应力膜层和拉应力膜层间隔相接；以所述隔离层分布沉积隔离层内压应力膜层和拉应力膜层，所述隔离层覆盖所述浅沟槽。可形成具有满足产品应力改善要求的隔离层的浅沟槽隔离区；本发明还提供了一种浅沟槽隔离区结构，所述浅沟槽隔离区具有满足产品应力改善要求的隔离层；本发明还提供了一种膜层形成方法，可形成满足产品应力改善要求的膜层。