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公开/公告号CN107430328B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 信越化学工业株式会社;
申请/专利号CN201680013518.6
发明设计人 入江重夫;吉井崇;增永惠一;稻月判臣;金子英雄;樱田丰久;
申请日2016-02-15
分类号G03F1/38(20060101);G03F1/32(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人何杨
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 11:24:30
机译: 光掩模坯容器,光掩模坯的容纳方法,光掩模坯的存储方法,光掩模坯的运输方法和光掩模的制造方法
机译: 光掩模,包括该光掩模的层压体,该光掩模的制造方法,使用该光掩模的图案形成装置以及使用该光掩模的图案形成方法
机译:扫描型开发技术,可提高半导体光掩模的精度:支持先进半导体器件制造的光掩模图案的精度更高
机译:扫描型开发技术提高了半导体的光掩模精度:高精度的光掩模图案,支撑尖端半导体器件的制造
机译:使用现有光掩模制造能力制造用于EUV光刻的自对准交替相移光掩模的简单方法
机译:分离和评估掩模CD均匀性中的侧向误差来源的简单方法:光掩模坯料和掩模制造工艺
机译:用于光刻的DUV和EUV光掩模中非平面相和多层缺陷的快速仿真方法。
机译:通过体外无掩模光图案法按需分离和操纵秀丽隐杆线虫
机译:采用双面(结构化)光掩模制作硅通孔制造的优化光刻工艺,用于掩模对准器光刻
机译:用于自动IC光掩模检测系统的实验评估的测试掩模。