环绕式沟槽接触部结构和制作方法

摘要

描述了一种环绕式源极/漏极沟槽接触部结构。多个半导体鳍状物从半导体衬底伸出。将沟道区设置到一对源极区/漏极区之间的每一鳍状物内。外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面，从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。将一对源极/漏极沟槽接触部电耦合至所述外延半导体层。所述源极/漏极沟槽接触部包括共形金属层和填充金属。所述共形金属层与所述外延半导体层共形。所述填充金属包括插塞和阻挡层，其中，所述插塞填充形成于所述鳍状物和所述共形金属层之上的接触沟槽，所述阻挡层充当所述插塞的衬，从而避免所述共形金属层材料和插塞材料的相互扩散。