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公开/公告号CN110284188B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17
原文格式PDF
申请/专利权人 河北普兴电子科技股份有限公司;
申请/专利号CN201910695641.6
发明设计人 高卫;李召永;王建江;王毅;赵丽霞;吴会旺;陈秉克;
申请日2019-07-30
分类号C30B23/00(20060101);C30B29/36(20060101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人田甜
地址 050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
入库时间 2022-08-23 11:21:53
机译: 制备碳化硅体积单晶,包括在生长坩埚的晶体生长区域中制备碳化硅生长气相,以及通过从碳化硅生长气相沉积而生长单晶。
机译: 制备碳化硅体积单晶,包括在培养坩埚的晶体生长区域中生成碳化硅生长气相,以及通过沉积从气相中生长碳化硅体积单晶。
机译:PVT法生长的AlN块状晶体中的钨坩埚零件产生的沉淀物
机译:PVT法研究各种坩埚对SiC晶种生长高质量AIN晶体的影响
机译:通过向上移动坩埚调节生长界面温度场的4H多晶硅
机译:通过使用硅坩埚的非接触坩埚方法在不覆盖Si3N4颗粒的情况下通过熔化法在Si内部生长Si单块晶体
机译:坩埚音乐?在爱荷华大学管理坩埚的阶段
机译:新型冷坩埚超声雾化粉末生产方法3D印刷
机译:繁殖坩埚坩埚中的Kolemanit繁殖坩埚冶金
机译:III-V半导体材料制备技术的研究与开发及这些材料质量评价方法 - 砷化镓晶体 - 砷化镓坩埚拉制