PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法

摘要

本发明提供了一种PVT法制备碳化硅用坩埚，属于晶体生长技术领域，包括底板；顶盖；以及至少两个筒体，同轴设置且由下至上依次排布，相邻两个筒体可拆卸连接，至少两个筒体组装成坩埚筒，且至少两个筒体的电阻率不完全相同；其中，位于最下方的筒体与底板可拆卸连接，位于最上方的筒体与顶盖可拆卸连接；各筒体分别为石墨筒体；底板、坩埚筒和顶盖围成反应腔；任一筒体被替换为电阻率不同于该筒体的另一筒体时，反应腔内与该筒体对应区域的温度发生相应改变。本发明还提供了一种调节坩埚温度场的方法。本发明提供的PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法，实现了温度场的快速简易定向调节。