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采用原位反应法在石墨坩埚表面制备SiC涂层

         

摘要

通过原位反应在石墨坩埚切片表面成功制备了SiC涂层,并对其进行了循环热氧化试验,研究了SiC涂层的形成机理以及烧结温度和时间对涂层厚度的影响,并评价了涂层对提高石墨抗热氧化性及抗热冲击性的作用.结果表明:原位反应制备的SiC涂层厚度较为均匀;不同温度下的原位反应由不同的动力学过程控制;当温度接近硅熔点时,长时间加热能显著增加SiC涂层的厚度;烧结温度越高,SiC涂层的厚度越大;石墨表面的SiC涂层能够提高石墨基体的抗热氧化及抗热冲击性,且涂层厚度越大,作用越显著.

著录项

  • 来源
    《机械工程材料》 |2014年第6期|50-55|共6页
  • 作者

    游小刚; 谭毅; 李佳艳;

  • 作者单位

    大连理工大学材料科学与工程学院,辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,大连116024;

    大连理工大学材料科学与工程学院,辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,大连116024;

    大连理工大学材料科学与工程学院,辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,大连116024;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TF89;
  • 关键词

    原位反应; SiC涂层; 石墨坩埚;

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