AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术

摘要

宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料.物理气相传输(PVT)法作为被广泛采用的AlN晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻.耐高温、抗腐蚀、长寿命坩埚已成为大尺寸、高质量AlN晶体生长的技术难题之一.本文介绍AlN晶体PVT法生长的基本原理与过程,分析晶体生长对坩埚材料的性能要求,重点综述了TaC坩埚和TaC涂层石墨坩埚的制备技术.