PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析

摘要

我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN单晶晶粒的完整性、杂质及缺陷进行了分析。腐蚀后AlN单晶的(0001)Al面形成规则的六方形位错腐蚀坑,密度约为4000cm-2。XRD半峰宽为35弧秒,表明晶体的品格完整性很好。EDX测试结果表明晶体中局部区域存在C,O杂质,红外吸收测量得到了分别位于1780cm-1,1850 cm-1,2000 cm-1,2900cm-1的吸收峰,这些吸收峰分别与晶体中的杂质O,C,Si或氧的复合体有关。