PVT法AlN单晶生长研究进展

摘要

AlN单晶衬底在制作蓝光－紫外固态发光/激光二极管和高温、高频、高功率电子器件等方面具有很好的应用前景.因此,AlN单晶衬底材料在国际上正越来越受到广泛关注.有多种方法可用来制备AlN单晶衬底,目前,PVT法生长AlN单晶最大尺寸可达到2英寸.本论文介绍PVT法AlN单晶生长研究进展.