一种PVT法自发形核制备AlN晶体的方法

摘要

本发明涉及一种PVT法自发形核制备AlN晶体的方法，其包括以下步骤：1）、对AlN粉末进行纯化；2）、将纯化后的AlN粉末放入坩埚（1）中，在坩埚（1）内部高度的1/5至4/5处放置金属丝网（2）并使得AlN粉末位于所述金属丝网（2）之下，然后将坩埚（1）置于石墨加热体中后放入单晶生长炉内，在常温下将单晶生长炉抽真空至10E‑6 mbar，然后在100‑1000mbar纯氮气气氛下，以100‑150℃/h的升温速率加热升温至2000‑2300℃并保温24‑72h，然后以100‑150℃/h的降温速率降至室温，从而在所述金属丝网（2）的表面自发形核生长出AlN晶体。其制备的AlN晶体的晶粒质量高且尺寸大。