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金雷; 程红娟; 史月增; 齐海涛; 张丽;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
宽禁带半导体; 氮化铝单晶; 物理气相传输法; 自发形核; 过饱和度;
机译:Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN的共晶混合物自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究
机译:自发渗透Y_2O_3-AlN,Y_2O_3-Al_2O_3,R_2O_3-AlN的共混混合物获得SiC陶瓷的可行性研究
机译:PVT法研究晶种取向对AlN块状晶体生长的影响
机译:N极表面ALN和AlGaN / AlN异质结构的晶体生长和评价
机译:亚硫酸钙半水合物的形核和晶体生长。
机译:AlN晶体生长的物理气相传输方法
机译:Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN的共晶混合物自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究
机译:aFIT-GKs的可移植性评估(空军技术研究所 - 图形核心系统)。图形核系统的ada实现
机译:薄板坯铸铁生产Fe-3.2SI CRGO钢热带中的核形核的方法,C含量低至0.03%,AlN作为单晶粒生长抑制剂
机译:AlN AlN AlN AlN AlN烧结体AlN基质及其制备方法
机译:一种将由sic,bn,bp,aln或aip组成的晶体生长为籽晶的方法
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