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张刚; 付丹扬; 李哲; 黄嘉丽; 王琦琨; 任忠鸣; 吴亮;
上海大学材料科学与工程学院,上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室,省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室,上海200072;
奥趋光电技术(杭州)有限公司,杭州311199;
氮化铝; 物理气相传输法; 同质外延生长; 籽晶台; 数值模拟; 过饱和度; 温度梯度;
机译:凹进深度和籽晶侧面的晶体学取向对CVD单晶金刚石同质外延生长的影响
机译:通过压力控制溶液生长制备的块状GaN单晶上反应性分子束外延生长GaN层的同质外延生长
机译:氮和偏压对热丝化学气相沉积法生长同质外延金刚石的影响
机译:Ga通量和rf功率对单晶GaN薄膜同质外延生长的影响
机译:衬底取向错误对有机金属气相外延法生长碲化镉的同质外延的影响。
机译:同质外延生长的钌单晶的电子和晶体学检查
机译:衬底生长温度对分子束外延生长的氢化Si / Si同质外延结构中H扩散的影响
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。
机译:制备氮化铝体单晶,包括在坩埚排列的晶体生长区域中放置单晶氮化铝籽晶,并在晶体生长区域中产生氮化铝生长气相
机译:用于碳化硅单晶生长籽晶的碳化硅单晶生长籽晶的制造方法,碳化硅单晶的制造方法以及碳化硅单晶
机译:区域熔化法生产硅单晶,包括在熔化棒下端的熔化区熔化块状材料,并使熔化区与籽晶接触,从而使单晶在籽晶上生长。
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