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杨明超; 陈治明; 封先锋; 林生晃; 李科; 刘素娟; 刘宗芳;
西安理工大学;
SiC; 数值模拟; 缺陷; 热应力;
机译:3-D X射线计算机断层摄影技术在PVT批量生长过程中SiC晶体生长界面的原位可视化中的应用
机译:PVT法生长在6H-SiC晶种上的高质量4H-SiC晶体的晶种极性的影响
机译:通过Cz方法研究蓝宝石单晶生长过程中的界面形状和热应力
机译:浮区晶体生长中传输过程和界面形状的有限元分析。
机译:优化SiC粉末源材料以改善SiC圆棒的PVT生长过程中的工艺条件
机译:SiC粉末源材料的优化,用于改进SiC槽PVT生长过程中的过程条件
机译:生长速率对Lely法生长siC晶体结构和堆积紊乱的影响
机译:减少和/或消除SiC外延膜生长过程中靠近外延层/衬底界面的基面位错的预处理方法
机译:使用界面加热器段控制晶体生长过程中凝固界面形状的装置和方法
机译:使用聚焦辐射加热器控制晶体生长过程中凝固界面形状的设备和方法
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