PVT法生长SiC晶体过程中的源-衬距维持

摘要

SiC晶体生长过程中源-衬距的减小影响晶体生长速率和晶体的品质。制定了下调坩埚系统高温区和不同粒度的SiC粉源分别放置在坩埚不同部位相结合的源-衬距维持方案,利用自制设备进行了晶体生长验证实验,实验结果显示该方案基本维持了生长初期的源-衬距,并且提高了SiC粉的利用率,也为一次投料长晶体的制备和提高晶体平均生长速率提供了一种可行的方法。