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一种金刚石微通道Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种金刚石微通道Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法,从下至上依次包括Cu基底、微通孔模板和CVD金刚石薄,Cu基底和微通孔模板之间设置有纳米金刚石颗粒,Cu基底中镶嵌有金刚石微通道阵列,金刚石微通道的直径为0.3~0.5mm,微通道间距2~3mm。本发明散热效果优于Ag、Cu、Al等传统热沉片;微通道Cu基金刚石热沉片散热性能更优;大大提高了微通孔内金刚石的形核密度和生长速率;在微通孔内实现了金刚石薄膜CVD选择生长。

著录项

  • 公开/公告号CN110557936B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西科技大学;

    申请/专利号CN201910964118.9

  • 发明设计人 王进军;

    申请日2019-10-11

  • 分类号H01L23/373(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人高博

  • 地址 710021 陕西省西安市未央区大学园

  • 入库时间 2022-08-23 11:20:27

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