BiCMOS结构和在BiCMOS工艺中形成基极的方法

摘要

本发明提供了制造具有抬升外部基极的异质结双极晶体管的方法，其中，通过在抬升外部基极上形成硅化物，降低了基极电阻，所述硅化物以自对准的方式向发射极区域延伸。在形成抬升外部基极之后，将硅化物的形成结合到BiCMOS工艺流程中。本发明还提供了一种异质结双极晶体管，其具有抬升外部基极和位于抬升外部基极上的硅化物。在抬升外部基极上的硅化物以自对准的方式向发射极延伸。发射极通过衬垫与硅化物隔开。