BiCMOS工艺中VNPN晶体管的优化设计

摘要

BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求.结合实际BiCMOS工艺,借助专业TCAD模拟软件ISE,模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响,给出了优化的设计方案.在线流片结果表明优化后:晶体管β=47,[BV]CEO=9.5 V,达到了低频功率晶体管的应用要求,同时保证了BiCMOS工艺中的CMOS器件性能不变,并且工艺稳定可在线量产.因此这种优化设计是可取的.