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微波组件深腔的裸芯片或模块深腔的裸芯片的返工方法

摘要

本发明公开了微波组件深腔的裸芯片或模块深腔的裸芯片的返工方法,它包括准备、确定被返工芯片参数、设置加热台温度、测试模拟件组件或模块温度、加热返工组件或模块、拆需要返工的裸芯片、清理清洁和检测八个步骤,本发明涉及的工艺方法可将采用H20E导电胶粘接的裸芯片完整拆取而不破坏裸芯片结构,成功率高达90%,同时所用工具简单,节约成本。

著录项

  • 公开/公告号CN109671615B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都嘉泰华力科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201811572582.5

  • 发明设计人 史保;何丹;杨磊;

    申请日2018-12-21

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L21/67(20060101);B09B3/00(20060101);

  • 代理机构51218 成都金英专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人袁英

  • 地址 610041 四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋3层22-31号

  • 入库时间 2022-08-23 11:17:20

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