具有极化结纵向泄漏电流阻挡层结构的HEMT器件及其制备方法

摘要

一种具有极化结纵向泄漏电流阻挡层结构的HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件领域。技术要点是，在半导体衬底上依次生长缓冲层、i‑GaN漂移层、极化结、i‑GaN沟道层和AlGaN主势垒层，所述极化结是由AlGaN背势垒层与其上方的p‑GaN层组成的复合结构，所述AlGaN主势垒层上设置有漏电极和栅电极，在栅电极一侧，所述AlGaN主势垒层与所述i‑GaN漂移层形成台阶，所述i‑GaN漂移层台阶上设置有源电极，所述栅电极和漏电极之间具有AlGaN/i‑GaN异质结，所述源电极和漏电极间由极化结插入层隔开。有益效果是:本发明通过增加一层极化结纵向泄漏电流阻挡层结构，利用强的极化电荷产生电场和耗尽层内建电场有效排斥并降低器件内部背景载流子浓度，从而降低纵向泄漏电流、提高该类型器件的击穿电压。