机译:具有减小的特征尺寸和干净的刻蚀阻挡层结构的增强型a-IGZO TFT可靠性
机译:通过蚀刻刻蚀纳米层的清洁界面工艺增强a-IGZO TFT器件的性能
机译:缓冲层对G4.5无色聚酰亚胺柔性A-IGZO TFT性能和可靠性的影响
机译:a-IGZO TFT与Cu-Mn合金电极的接触特性和TFT结构
机译:灰后清洁和化学处理对铜/低κ互连结构的介电性能和可靠性的影响。
机译:通过刻蚀停止层纳米层的清洁界面工艺增强a-IGZO TFT器件的性能
机译:具有减少的特征尺寸和清洁蚀刻止动层结构的A-IGZO TFT的可靠性