机译:氮化镓常关垂直场效应晶体管,具有额外的反向电流阻挡层结构
机译:具有阻挡层的常关AlGaN / GaN异质结结型场效应晶体管
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:基于翅片结构的垂直3D氮化镓场效应晶体管,倒置P掺杂通道
机译:GaN的常关垂直场效应晶体管的提案和演示,具有背电流块层的设计
机译:氮化铝镓/氮化镓电流孔径垂直电子晶体管。
机译:非绝缘电流阻挡层和带纹理的表面增强了氮化物基紫外垂直注入发光二极管的性能
机译:镓氮化镓场效应晶体管闸门滞后和电流塌陷的仿真