Aging characteristic investigation of VLEDs with current blocking layer structure

摘要

发现ICP dAMAgE制作电流阻挡层的制程会导致垂直结构lEd在老化过程中发生漏电。通过更换反射层的金属及EMMI&SEM分析,发现老化漏电的原因来源于反射金属——Ag的电迁移,迁移通道可能来源于ICP打开穿透位错的封口。在缺陷位错内填入低电迁移率金属并检测。结果表明,填入低电迁移率金属后既解决了老化漏电问题,同时不影响芯片的初始光电特性。