增强型高电子迁移率晶体管元件

摘要

本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管元件，其包括基板、通道层、阻障层、氮化物场板、P型半导体层、栅极、源极与漏极。通道层配置于基板上。阻障层配置于通道层上。氮化物场板配置于阻障层上且包括一主图案以及位于主图案侧边的多个次图案。P型半导体层配置于氮化物场板的主图案上。栅极配置于P型半导体层上。源极与漏极配置于栅极两侧的阻障层上。