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用于晶圆的两层LTO背面密封

摘要

本发明提供一种用于晶圆的两层LTO背面密封。这两层LTO背面密封包括具有第一主面和第二主面的低应力LTO层,该低应力LTO层的第一主面与该晶圆的一个主面相邻。所述两层LTO背面密封进一步包括具有第一主面和第二主面的高应力LTO层,该高应力LTO层的第一主面与该低应力LTO层的第二主面相邻。

著录项

  • 公开/公告号CN100409407C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅电子股份公司;

    申请/专利号CN03822808.4

  • 发明设计人 李金星;欧文勤;

    申请日2003-09-18

  • 分类号H01L21/22(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人王英

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-08-06

    授权

    授权

  • 2005-12-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-19

    公开

    公开

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