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机译:用于高k /金属栅极加工的晶圆背面清洁策略
R. Vos; E. Kesters; S. Garaud; R. De Waele; K. Kenis; M. Lux; H. Kraus; J. Snow; D. Shamiryan; G. Catana; W. Deweerd; T. Schram; S. Degendt; P. Mertens;
机译:晶圆背面清洗策略用于高金属浇口处理
机译:在200 Mm Geoi晶圆的Si工艺生产线中制造的具有高k和金属栅极的105 Nm栅极长度Pmosfets
机译:晶圆加工:英特尔在金属栅/高k介电层中获得成功
机译:高k /金属栅极加工的晶圆背面清洁策略
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:用AlGaN / GaN异质结构和背面的高电子移动装置激光加工透明晶片
机译:Si CMOS处理中具有高K电介质的金属栅极
机译:使用晶片背面清洁来消除微小缺陷的方法,能够通过晶片背面清洁过程来去除微粒
机译:在高k介电薄膜上气相沉积金属栅极的方法,改善高k介电薄膜与金属栅极之间的界面的方法以及基体处理系统
机译:在高k介电薄膜上沉积金属门的方法,改善高k介电膜与金属门之间的界面的方法以及基体处理系统
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