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中国电子学会;
硅抛光电; 气相沉积; 低温化学; 集成电路;
机译:III–V化合物半导体与硅光子集成电路的低温,强SiO2 sub> -SiO2 sub>共价晶片键合
机译:绝缘体上的硅纳米级背面互连,用于原子和分子级电路
机译:通过反应热化学气相沉积,低温生长富含含硅含硅膜的多晶硅膜
机译:通过热线化学气相沉积在低温下在多晶硅籽晶层上外延生长硅。
机译:本征超小纳米级硅通过SiO2 / Si3N4涂层变成n / p型
机译:注入硅和等离子体增强化学气相沉积生长的富硅SiO2的氧缺陷和与Si纳米晶体有关的白光和近红外电致发光
机译:siO2在2-10乇下的低温化学气相沉积
机译:具有两层背面密封的晶片以及在晶片上形成两层LTO背面密封的方法
机译:适形硅碳氮化物和硅氮化物膜的低温等离子体化学气相沉积
机译:包含硅碳氮化物和硅氧碳氮化物膜的含硅薄膜的低温化学气相沉积的组成和方法
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