公开/公告号CN109904058A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 有研半导体材料有限公司;
申请/专利号CN201711316661.5
申请日2017-12-11
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/66(20060101);H01L21/673(20060101);H01L21/687(20060101);
代理机构11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人刘秀青
地址 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
入库时间 2024-02-19 11:27:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20171211
实质审查的生效
2019-06-18
公开
公开
机译: 在改善晶片边缘状态的质量并降低故障率并降低缺陷率的同时,使用湿法清洁设备以消除太阳能电池的硅锭工艺中的损伤层的蚀刻工艺
机译: 使用因子VIIa或因子VIIa等同物,预防或减轻一种或多种晚期创伤并发症的零件套件和方法,以及减少创伤后住院的创伤患者住院天数的方法,以减少创伤患者所花费的天数在创伤后的重症监护室中,以改善创伤患者的肺功能,降低患者发生急性肺损伤和/或急性呼吸窘迫综合征的风险。降低创伤患者发生弥散性血管内凝血的风险,降低创伤患者发生全身性炎症反应综合征的风险,降低创伤患者发生多器官衰竭的风险,降低死亡风险创伤患者,并预防或减轻一个或多个晚期创伤并发症。
机译: 一种生产硅片的方法,该硅片包含硅石,硅石具有正面和反面,以及沉积在正面的硅层