逻辑晶圆、CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种逻辑晶圆、CMOS图像传感器及其制造方法，将与穿硅通孔接触结构直接连接的金属层的厚度设置为大于或者等于2000埃，由此，在形成穿硅通孔接触结构时，能够提供较大余量的金属层的损耗，使得金属层能够很好的与穿硅通孔接触结构连接，从而提高了所形成的逻辑晶圆或者相应的CMOS图像传感器的质量与可靠性。