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【24h】

Back-side illumination, wafer-scale optics drive 2x-5x jump in CMOS image sensor performance

机译:背面照明,晶圆级光学器件驱动CMOS图像传感器性能提高2到5倍

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摘要

It's not just 3D packaging technology where CMOS image sensors are driving IC technology these days. Ultrathin silicon that enables back-side illumination (BSI), and integrated wafer-level optics are bringing sharply improved performance, lower costs, and smaller size, driving CMOS image sensors into more and more markets-and these technologies may soon impact other IC manufacturing as well.
机译:如今,不仅仅3D封装技术推动CMOS图像传感器驱动IC技术。支持背面照明(BSI)的超薄硅片以及集成的晶圆级光学器件正在极大地提高性能,降低成本并缩小尺寸,从而将CMOS图像传感器推向越来越多的市场-这些技术可能很快会影响其他IC制造也一样

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2010年第7期|P.101214|共3页
  • 作者

    Jerome Baron;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:35:16

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